Speicher-Oszillograph Oscillar M07107
Siemens (& Halske, -Schuckert Werke SSW, Electrogeräte); Berlin, München
- Country
- Germany
- Manufacturer / Brand
- Siemens (& Halske, -Schuckert Werke SSW, Electrogeräte); Berlin, München
- Year
- 1972 ?
- Category
- Service- or Lab Equipment
- Radiomuseum.org ID
- 135167
- Number of Tubes
- 1
- Valves / Tubes
- E714C
- Number of Transistors
- Semiconductors present.
- Semiconductors
- Main principle
- none
- Wave bands
- - without
- Power type and voltage
- Alternating Current supply (AC) / 115; 127; 220 Volt
- Loudspeaker
- - - No sound reproduction output.
- Material
- Metal case
- from Radiomuseum.org
- Model: Speicher-Oszillograph Oscillar M07107 - Siemens & Halske, -Schuckert
- Shape
- Tablemodel, low profile (big size).
- Dimensions (WHD)
- 343 x 175 x 535 mm / 13.5 x 6.9 x 21.1 inch
- Notes
- Bandbreite: 40MHz
Crt: Halbtonspeicherröhre mit einstellbarer Nachleuchtdauer, Raster 6 x 10.
- Net weight (2.2 lb = 1 kg)
- 15 kg / 33 lb 0.6 oz (33.04 lb)
- Source of data
- -- Original-techn. papers.
- Author
- Model page created by Pius Steiner. See "Data change" for further contributors.
- Other Models
-
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Forum contributions about this model: Siemens & Halske, -: Speicher-Oszillograph Oscillar M07107
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Quelle: Auszug aus der techn. Beschreibung des Gerätes M07107 Sichtgerät M07021 von Siemens
Beschreibung der Funktionsweise der Speicherröhre E714C
Speicherteil
Ein zweiter Elektronenstrahl, dessen Elektronen an den positiv geladenen Stellen der Speicherschicht durchgelassen werden, überträgt das gespeicherte Bild auf den Bildschirm. Die Entstehung des positiven Ladungsbildes wird durch die SekundärelektronenEmission ermoglicht.
a)
Bei Spannungen UA < UA1 entsteht infolge Ipr > Isek ein Elektronenüberschuß an der Plattenoberfläche, so daß deren Potential zunehmend negativer wird, bis es schließlich den gleichen Wert wie die Kathode, also 0V erreicht.
Bei Spannungen UA > UA1 entsteht infolge Isek > Ipr ein Elektronenmangel, der das Potential der Plattenoberfläche in positiver Richtung verschiebt.
Beim Auftreffen der von einer Kathode emittierten Elektronen (Primarelektronen) auf eine als Anode wirkende Platte werden Sekundarelektronen ausgelöst. Die Anzahl der ausgelösten Sekundärelektronen /sek im Verhältnis zur Anzahl der auftreffenden Primärelektronen Ipr hängt ab von der Spannung UA, die zwischen der Anode und der Kathode liegt. Bei einer bestimmten Spannung UA1 werden genauso viele Sekundärelektronen ausgelöst als Primär-elektronen auftreffen. (UA1 liegt bei Isoliermaterialien meist zwischen +20V und +50V.) Bei Spannungen UA <UA1 " werden weniger Sekundär-elektronen, bei Spannungen UA > UA1 mehr Sekundärelektronen ausgelöst als Primärelektronen auftreffen. Bei einer Anode aus Isoliermaterial werden dadurch Potentialänderungen an ihrer Oberfläche verursacht.
IS: Schreibelektronenstrahl
Flutsystem
G6: Speichernetz mit Speicherschicht „L"
Das Speichernetz ist ein feinmaschiges Metallnetz, auf dem die Speicherschicht in Form einer dünnen Lage aufgetragen ist. Die Speicherschicht besteht aus einem Material mit hochwertigen lsoliereigenschaften.
Durch den Löschvorgang wird ein gespeichertes Bild wieder entfernt und die Speicherschicht für eine neue Speicherung vorbereitet. Das kann durch einen einmaligen oder durch einen automatischen Löschvorgang erfolgen.
Beim einmaligen Löschvorgang wird die Spannung am Speichernetz entsprechend dem in Bild 2/7a) gezeigten Verlauf geändert. Diese Änderung führt zu dem in Bild 2/7 b) gezeigten Potentialverlauf auf der Speicherschicht.
Bei t2 geht die Spannung am Speichernetz wieder auf +2V zurück. Dieser Spannungssprung wird wieder kapazitiv auf die Speicherelemente übertragen, deren Potential ebenfalls auf +2V zurückgeht. Bei +2V können Flutelektronen landen, welche die Speicherelemente so lange negativ aufladen bis ihr Potential auf 0V abgesunken ist.
Bei t3 springt die Spannung am Speichernetz von +2V auf +8V und das Potential der Speicherelemente von 0 auf +6V. Bei +6V können wieder Flutelektronen landen, die das Potential der Speicherelemente wieder auf 0V zurückbringen.
Bei t4 geht die Spannung am Speichernetz wieder auf +2V zurück. Um den gleichen Betrag geht auch das Potential an den Speicherelementen zurück, und zwar von 0 auf -6V. Damit ist der Löschvorgang zu Ende und die Speicherschicht zu einer neuen Speicherung vorbereitet.
Bild 2/8a) zeigt den Spannungsverlauf am Speichernetz, Bild 2/8b) den Potentialverlauf an einem vorn Schreibstrahl getroffenen, auf -3V liegenden Speicherelementes.
Wie bei der einmaligen Löschung wird auch hier jeder Spannungssprung am Speichernetz kapazitiv auf das Speicherelement übertragen. Nach jedem Spannungssprung von +2V auf +8V erfolgt durch den Einfluß der Flutelektronen ein Rückgang des Potentials von ∆U. Je größer die Impulsdauer ist, um so größer ist auch ∆U und um so weniger Impulse sind erforderlich, um das Sperrpotential zu erreichen.
Pius Steiner, 16.Sep.10