Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N821
| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Zener-Diode, temperaturkompensiert;
Form/Case: DO-35;
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: __ V; I sp: __ µA; U sp: __ V; I z: 7.5 mA; I z: 6.2 V (5.9 ... 6.5 V); Zi: <15 Ω; t coeff: 0.01 % / °C; t opj: -55...+100 °C.
Variante: 1N821A = Zi: <10 Ω; -
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
2 x 5 x mm / 0.08 x 0.20 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. International Semiconductors Inc.
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1N821: Personal file
Antonio Rabitti
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1N821: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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1N821: Valvo Taschenbuch 1975
Heinz Höger
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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