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2N6080

Information - Hilfe 
ID = 83263
       
Land:
USA
Marke: Common type USA tube/semicond.
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2N6080

Sockel SPEZIALSOCKEL allgemein
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial NPN;
Form/Case:;
Daten/electr.data: I F: __ A; U S: __ V; Isp: __; ß (beta): >5; N: 12 W; Imax(Ic): 1 A; Umax(Uce): 18 V; f g(FT): __ MHz; tmax j: °C;
Application: RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER
-

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Literatur

Verwendung in Modellen 1= 1985 ; 1= 1990??

Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:2
 
us_trw_2n6080_f.png

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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