Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SD930
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SD930
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| Sockel |
Drahtenden
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| Anwender |
Industrie |
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium diff. NPN, Ultra High ß;
Form/Cas/Outline: TO-220 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: __ V; U S: __ V; Isp: __ mA; ß (beta): >700; N: 40 W; Imax(Ic): 5 A; Umax(Ucb): 250 V; Umax(Uce): 200 V; f g(FT): __ MHz; tmax j: 150 °C.
Manufactured by Fuji Electronics (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Collmer Semiconductor Inc., Dallas (USA)
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2SD930: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:2
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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