Silizium-NPN-Planar-HF-Transistor mit kleiner Rückwirkungs-Kapazität, besonders geeignet für geregelte FS-ZF-Verstärkerstufen in Emitterschaltungen.
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN; Form/Case: TO-92, Anschlussfolge: BEC; Daten/electr.data: I F: 4 mA; U F: 10 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): >26; N: 500 mW; Imax(Ic): 25 mA; Umax(Uce): 30 V; f g(FT): 400 MHz; tmax: 125 °C. Austauschtyp/similar to: BF225, BF310, BF367, BF596.
Vermutlich integrierte Schutzdiode zwischen C und E (=> Forum).
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch
Gewicht
1 g / 0.04 oz
Literatur
-- Collector info (Sammler) TVT 1979/80 ECA, TTT Steidle 1981
