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GES5818

Information - Hilfe 
ID = 76344
       
Land:
USA
Marke: General Electric Co. (GE); Bridgeport CT, Syracuse NY
Typ:  Transistor   Universal 
Identisch mit GES5818
Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case/Outline: TO-92 Anschlussfolge CBE;
Daten/electr.data: I F: 50 mA; U F: (5) V; U S: <0.75 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 150-300*; N: 500 mW; Imax(Ic): 750 mA; Umax(Ucb): 50 V; Umax(Uce): 40 V; f g(FT): >135 MHz; tmax j: 135 °C; kompl.: GES5819.
Ähnlich/similar: GES5814 = 60-160*, kompl: GES5815;
GES5816 = 100-200*, kompl.: GES5817;
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   
to_92_cbe~~102.png GES5818: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
Verwendung in Modellen 1= 1979? ; 2= 1980?? ; 1= 1980? ; 1= 1980
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:5
 
[rmxtube-ge, noindex]
  
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