Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
TA7376
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
TA7376
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Aufbau/internal: IC (__ Trans., __ Widerst., __ Dioden, __Kond.);
Form/Case: SIP-9 (TA7376P) | SOP-8 (TA7376AF);
Type: Dual AF Power amplifier: 2 x 21 mW @ 32 Ω (3 V) ... 2 x 0.4 W @ 8 Ω (6 V);
Daten/electr.data: Vcc: 3...6 V, Iq: 5.3 mA, Pd: <950 mW, Rin: 30 kOhm; t op: -25...+75 °C.
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
23 x 8 x 3 mm / 0.91 x 0.31 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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TA7376: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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TA7376: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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TA7376: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:2
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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