Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN;
Form/Case/Outline: TO-18;
Daten/electr.data: I F: 10 mA; U F: (4) V; Isp: __ nA; ß (beta): 50-160; N: 360 mW; Imax(Ic): 30 mA; Umax(Ucb): 45 V; Umax(Uce): 45 V; f g(FT): 200 MHz; tmax j: 150 °C.
Ähnlich/similar: TT40, TT45, TT51, TT56, TT57, TT60, TT101, TT104, TT731, TT901, TT1101, TT1127, TT1153, TT1171, TT1172, TT1175, TT1176, TT1197, TT1218, TT1228, TT1245, TT2001; TT5658; -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|