Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
12F20
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
12F20
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Diode;
Form/Case: DO-4 Schraubgewinde 10-32UNF = Kathode;
Daten/electr.data: I r: 5 mA; V f: 0.97 V; Uf max: 1.26 V; ; V rrm: 200 V; N: __ W; If d: 12 A; I fsm: 160 A (10 mns); peak: 220 A; V rsm: 275 V; tmax j: 120 °C.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
14 x 26 x mm / 0.55 x 1.02 x inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature International Rectifier
|
|
12F20: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
