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1N4153

Information - Hilfe 
ID = 66401
       
Land:
USA
Marke: General Electric Co. (GE); Bridgeport CT, Syracuse NY
Typ:  Halbleiter-Diode   Universal 
Identisch mit 1N4153

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau: Silizium Punktkontakt;
Form/Case/Outline: ~ DO-35;
Daten/electr.data: I F: 10 mA; U F: 0.75 V; I sp: 0.05 µA; U sp: 50 V; N: 500 mW, Imax: 150 mA; Umax: 50 V; 2 ns; tmax j: 200 °C;
Schnelle Schaltdiode, ~ 1N3606 -

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
2 x 5 x mm / 0.08 x 0.20 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur -- Collector info (Sammler)   KTT 1969/70

do_35~~66.gif 1N4153: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

 
sam_1341~~1.jpg

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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