Material/Aufbau: Silizium Zener-Diode. Form/Case/Outline: DO-35; Daten/electr.data: I F: 6 mA; U F: 0.9 V; I sp: 10 µA; U sp: 1 V; N: 400 mW; Iz: 15 mA; Vz: 3.9 V +/- 10 %*; tmax j: 200 °C. Variante: 1N748A = +/- 5 %*;-