Material/Aufbau: Silizium Zener-Diode. Form/Case/Outline: DO-35; Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: __ V; I sp: 0.1 µA; U sp: __ V; N: 500 mW; Iz: 20 mA; Vz: 6.8 V +/- 10 %; tmax j: 200 °C. Variante: 1N754A = +/- 5 %;-