Material/Aufbau: Silizium Zener-Diode, temperaturkompensiert; Form/Case/Outline: DO-7; Daten/electr.data: I z: 7.5 mA; I z: 6.2 V (5.9 ... 6.5 V); Zi: <15 Ω; t coeff: <0.0005 % / °C; Ptot: ___ mW; t op: -55...+100 °C. Variante: 1N829A = Zi: <10 Ω; -