Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SA1076
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SA1076
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
2SA1075
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium RET (Fujitsu Ring Emitter Transistor) PNP;
Form/Case: RM-60 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 0.5 A; U F: -7 V; U S: 0.9 V; Isp: <50 µA; ß (beta): 60-200; N: 120 W; Imax(Ic): 12 A; Umax(Ucb): -160 V; Umax(Uce): -160 V; f g(FT): 60 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SC2526.
Manufactured by Fujitsu (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
34 x 16 x 5 mm / 1.34 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
8 g / 0.28 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Fujitsu
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2SA1076: Fujitsu
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:2
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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