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2SA1615

Information - Hilfe 
ID = 74326
       
Land:
Japan
Marke: NEC Corporation, Nippon Electric Co. Ltd. (Nippon Denki); Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SA1615

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-262 (2SA1615) | TO-263 (2SA1615Z) Anschlussfolge BCE (Fin=C);
Daten/electr.data: I F: 50 mA; U F: (10) V; U S: <0.25 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 200-600*; N: 1 W (15 W); Imax(Ic): 10 A (Pulse: 15 A); Umax(Ucb): -30 V; Umax(Uce): -20 V; f g(FT): 180 MHz; td(on): 80 ns; tmax j: 150 °C;
Varianten: 2SA1615[Z]-L = 200-400*, 2SA1615[Z]-K = 300-600* (hfe-Gruppen);
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
7 x 8 x 2 mm / 0.28 x 0.31 x 0.08 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   

to_262_mp_3~~7.png 2SA1615: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20

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Sammlung von

 
2sa1615.jpg

 

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