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2SA756

Information - Hilfe 
ID = 71011
       
Land:
Japan
Marke: Hitachi Ltd.; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SA756

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-3;
Daten/electr.data: I F: 1 A; U S: <1.5 V; Isp: <1 mA; ß (beta): 35-200*; N: 50 W; Imax(Ic): 6 A; Umax/Ucb): -150 V; Umax(Uce): -80 V; f g(FT): 20 MHz; tmax j: 150 °C; 2SC1030.
Varianten: 2SA756-A = 35-70*, 2SA756-B = 60-120*, 2SA756-C = 100-200* (beta/hfe-Gruppen) -

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
39 x 9 x 27 mm / 1.54 x 0.35 x 1.06 inch
Gewicht 14 g / 0.49 oz
Literatur -- Collector info (Sammler)   TTT Steidle 1981, Towers ITVL

to_3~~385.gif 2SA756: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20

 
hitachi_2sa756.jpg

 

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