Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SA979
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SA979
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
2SA798
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar PNP Dual-Transistor;
Form/Case: B-39 Anschlussfolge B1-C1-E1/E2-C2-B2 (Ansicht von vorn);
Daten/electr.data: I F: 1 mA; U S: __ V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 250-1200*; N: 400 mW; Imax(Ic): 50 mA; Umax(Uce): -100 V; f g(FT): 150 MHz; tmax j: 125 °C.
Varianten: 2SA979-F = 250-500*, 2SA979-G = 400-800*, 2SA979-H = 600-1200* (beta-Gruppen);
Manufactured by Mitsubishi Corp. Tokyo (J).
Differential-Eingangsstufe in NF-Verstärkern großer Leistung.
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 6 x 4 mm / 0.31 x 0.24 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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- - - TTT Steidle 1981
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2SA979
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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