Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB1015
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB1015
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium 3-fach-diff.Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 0.5 A; U F: 7 V; U S: 0.25 V; Isp: 100 µA; ß (beta): 60-300*; N: 25 W; Imax(Ic): 3 A; Umax(Ucb/Uce): -60 V; f g(FT): 3 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1406.
Varianten: 2SB1015-O = 60-120*, 2SB1015-Y = 100-200*, 2SB1015-GR = 150-300* (hfe-Gruppen)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 17 x 5 mm / 0.39 x 0.67 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SB1015: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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