Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB1110
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB1110
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
2SB1109
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case: TO-126 Anschlussfolge ECB;
Daten/electr.data: I F: 10 mA; U F: -5 V; U S: <2.0 V; Isp: <10 µA; ß (beta): 60-320*; N: 1.25 W; Imax(Ic): 100 mA; Umax(Uce): -200 V; f g(FT): >1 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1610.
Varianten: 2SB1110-B = 60-120*, 2SB1110-C = 100-200*, 2SB1110-D = 160-320* (hfe-/beta-Gruppen) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 12 x 3 mm / 0.31 x 0.47 x 0.12 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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2SB1110: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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