Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB1225
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB1225
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
2SB1223
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial-planar Darlington PNP;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 7 mA; U F: -6 V; U S: 0.9 V; Isp: <100 µA; ß (beta): 2000-5000; N: 25 W; Imax(Ic): 7 A; Umax(Ucb): -70 V; Umax(Uce): -60 V; f g(FT): 20 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1826.
Leistungs-Treiber -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
11 x 16 x 5 mm / 0.43 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SB1225: Sanyo
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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