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2SB179

Information - Hilfe 
ID = 61939
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit 2SB179
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  2S179 ; AC150
Vorgänger 2S179  

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Germanium Legierung PNP;
Form/Case: TO-1;
Daten/electr.data: I F: 1 mA, U F: -12 V; U S: __ V, Isp: __ µA, ß (beta): >25, N: 80 mW, Imax (Ic): 50 mA, Umax (Ucb): -25 V, Umax(Uce): -12 V; f g(FT): __ MHz, tmax j: 75 °C.
-

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
6 x 10 x mm / 0.24 x 0.39 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur -- Collector info (Sammler)   Towers ITVL

to_1_ttt~~22.gif 2SB179: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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