Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB524
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB524
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
BD240
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar Transistor PNP;
Form/Case: B-22 / X-102 Anschlussfolge: BCE;
Daten/electr.data: I F: 500 mA; U S: <1.0 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 55-300 *; N: 10 W; Imax(Ic): 3 A; Umax (Uce): -40 V; f g (FT): 70 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD361.
Varianten: 2SB524-C= 55-110*, 2SB524-D= 90-180*, 2SB524-E= 150-300* (beta/hfe-Gruppen).
Manufactured by Mitsubishi (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 15 x 4 mm / 0.31 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - - TTT Steidle 1981
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2SB524
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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