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2SB55

Information - Hilfe 
ID = 38715
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SB55
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  2SB43 ; 8-0062
Grenzwerte anders:
  AC128
Vorgänger 2S56  
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Germanium Legierung PNP;
Form/Case/Outline: TO-1;
Daten/electr.data: I F: 50 mA; U F: __ V; Isp: __ µA; ß (beta): 80; N: 150 mW; Imax(Ic): 150 mA; Umax(Uce): -25 V; f g(FT): 0.5 MHz; tmax j: 75 °C.
Vorläufer: 2S56A;
NF Endstufen kleiner Leistung;
- 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 6 x 10 x mm / 0.24 x 0.39 x inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur -- Collector info (Sammler)   Towers IVT
to1_ttt_24.gif 2SB55: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
 
[rmxtube-ge, noindex]
  
Datenkonformität Mehr Informationen