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2SB817

Information - Hilfe 
ID = 71429
       
Land:
Japan
Marke: Sanyo Electric Co. Ltd.; Moriguchi (Osaka)
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SB817

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-3-P Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 150 mA; U F: (-6) V; U S: <2.5 V; Isp: <0.1 mA; ß (beta): 60-200*; N: 100 W; Imax(Ic): 12 A; Umax(Ucb): -160 V; Umax(Uce): -140 V; f g(FT): 15 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1047.
Varianten: 2SB817-D = 60-120*, 2SB817-E = 100-200* (hfe-Gruppen);
-

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
16 x 21 x 5 mm / 0.63 x 0.83 x 0.20 inch
Gewicht 5 g / 0.18 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   

to_3p~~83.gif 2SB817: Sanyo
Günther Stabe † 19.8.20

Verwendung in Modellen 1= 1988?

Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:1

Sammlung von

 
2sb817.jpg

 

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