Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB817
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB817
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-3-P Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 150 mA; U F: (-6) V; U S: <2.5 V; Isp: <0.1 mA; ß (beta): 60-200*; N: 100 W; Imax(Ic): 12 A; Umax(Ucb): -160 V; Umax(Uce): -140 V; f g(FT): 15 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1047.
Varianten: 2SB817-D = 60-120*, 2SB817-E = 100-200* (hfe-Gruppen);
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 21 x 5 mm / 0.63 x 0.83 x 0.20 inch |
| Gewicht |
5 g / 0.18 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SB817: Sanyo
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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