Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB985
Land:
Japan
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Identisch mit |
2SB985
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-92-L Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: -6 V; U S: 0.19 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 100-560*; N: 1 W; Imax(Ic): 3 A; Umax/Ucb): -60 V; Umax(Uce): -50 V; f g(FT): 150 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1347.
Varianten: 2SB985-R = 100-200*, 2SB985-S = 140-280*, 2SB985-T = 200-400*, 2SB985-U = 280-560* (beta/hfe-Gruppen).
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 8 x 4 mm / 0.20 x 0.31 x 0.16 inch |
Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SB985
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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