| Descripción |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN; rauscharm/low noise
Form/Case: ähnl. TO-1; Anschlussfolge EBC;
Daten/electr.data: I F: 1 mA, U S: 0.1 V, Isp: 0.1 µA, ß (beta): 350, N: 200 mW, Imax (Ic): 50 mA, Umax (Uce): 50 V, f g(FT): ___ MHz, tmax j: 150 °C; F: 2 dB (IE 0,1 mA, UCE 6 V)
Variante: 2SC1416A, F: 1 dB (IE 0,1 mA, UCE 6 V)
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