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2SC4747

Information - Hilfe 
ID = 58628
       
Land:
Japan
Marke: Hitachi Ltd.; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SC4747
Ähnliche
Grenzwerte anders:
  2SC5252

Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Silizium dreifach diff. NPN;
Form/Case: TO-3-PFM Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 1.6 A; U F: 6 V; U S: <5.0 V; Isp: <500 µA; ß (beta): <25; N: 50 W; Imax(Ic): 10 A; Umax(Ucb): 1500 V; Umax(Uce): 800 V; f g(FT): __ MHz; t(f): <0.3 µs; tmax j: 150 °C;
TV Horizontal-Endstufen - 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
16 x 23 x 5 mm / 0.63 x 0.91 x 0.20 inch
Gewicht 5 g / 0.18 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   

to_3_p~~3.png 2SC4747: Sanyo
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

 
2sc_4747.jpg

 

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