Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SC99
Land:
Japan
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Identisch mit |
2SC99
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Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
2N2222
; 2SC98
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN;
Form/Case: TO-18;
Daten/electr.data: I F: 10 mA; U F: 5 V; Isp: __ µA; ß (beta): 80; N: 300 mW; Imax(Ic): 100 mA; Umax(Ucb): 20 V; Umax(Uce): 15 V; f g(FT): >175 MHz; tmax j: 165 °C.
Manufactured by Matsushita (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 6 mm / 0.24 x 0.24 x 0.24 inch |
Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
Literatur |
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- - - Towers IVT
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2SC99
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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