Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SD1010
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SD1010
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar Epitaxial NPN;
Form/Case: TO-92 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 1 mA; U F: 15 V; U S: 0.05 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 400-2000*; N: 300 mW; Imax(Ic): 50 mA; Umax(Ucb): 50 V; Umax(Uce): 40 V; f g(FT): 200 MHz; tmax j: 150 °C.
Varianten: 2SD1010-R = 400-800*, 2SD1010-S = 600-1200*, 2SD1010-T = 1000-2000* (hfe-Gruppen);
Manufactured by Matsushita (for Panasonic, J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Panansonic
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2SD1010: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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