Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SD1065
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SD1065
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial-planar NPN;
Form/Case/Outline: TO-3-PL Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 400 mA; U F: 6 V; U S: 0.18 V; Isp: <0.1 mA; ß (beta): 70-280*; N: 90 W; Imax(Ic): 15 A; Umax(Ucb): 60 V; Umax(Uce): 50 V; f g(FT): 20 MHz; t f: 0.1 µs; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SB829.
Varianten: 2SD1065-Q = 70-140*, 2SD1065-R = 100-200*, 2SD1065-S = 140-280* (hfe-Gruppen);
Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
15 x 22 x 5 mm / 0.59 x 0.87 x 0.20 inch |
| Gewicht |
5 g / 0.18 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SD1065: Sanyo
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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