Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SD1267
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SD1267
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso/F Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 400 mA; U F: (5) V; U S: <1.5 V; Isp: <400 µA; ß (beta): 70-250*; N: 40 W; Imax(Ic): 4 A; Umax(Ucb): 60 V; Umax(Uce): 60 V; f g(FT): 30 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SB942(A).
Varianten: 2SD1267A = Umax: 80V; Suffix Q= 70-150*, P= 120-250* (beta/hfe-Gruppen).
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 17 x 4 mm / 0.39 x 0.67 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Panasonic
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2SD1267: Matsushita
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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