Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SD357
Land:
Japan
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Identisch mit |
2SD357
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Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
BD410
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar Transistor NPN;
Form/Case: B-22 / X-102 Anschlussfolge: BCE;
Daten/electr.data: I F: 300 mA; U S: <1.0 V; Isp: <10 µA; ß (beta): 55-300 *; N: 10 W; Imax(Ic): 800 mA; Umax (Ucb): 100 V; f g (FT): 70 MHz; tmax j: 130 °C; kompl.: 2SB527.
Varianten: 2SD357-C = 55-110*, 2SD357-D = 90-180*, 2SD357-E = 150-300* (beta/hfe-Gruppen).
Manufactured by Mitsubishi (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 15 x 4 mm / 0.31 x 0.59 x 0.16 inch |
Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
Literatur |
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2SD357
Egon Strampe
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:3
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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