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2SK363

Information - Hilfe 
ID = 61445
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit 2SK363

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET;
Form/Case: TO-92 Anschlussfolge SGD;
Daten/electr.data: I g: <10 mA; Idss: 5 ... 30mA*; Vgs(off): 0.3 ... 1.2 V; Igss: <1 nA; ß (beta): __; Pd: <400 mW; Vgds: -40 V; f g (FT): __ MHz; Rds(on): 20 Ω; tmax j: 125 °C;
Varianten: 2SK363-GR = 5...10 mA*, 2SK363-BL = 8...18 mA*, 2SK363-V = 14...30 mA* (Drain-Source-Kurzschlussstrom Idss);
-

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   

to_92_sgd~~3.gif 2SK363: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20

Verwendung in Modellen 1= 1995??

Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:1

Sammlung von

 
2sk363.jpg

 

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