Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK63
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK63
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Vertical-FET;
Form/Case: TO-39 Anschlussfolge: SGD (Gate an Gehäuse);
Daten/electr.data: Vgs(off): <9.5 V; ß (beta): 14; Ptot: 470 mW; Imax: 200 mA; Idss: __ mA*; Umax: 120 V; f g (FT): __ MHz; tmax j: __ °C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
9 x 7 x mm / 0.35 x 0.28 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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- - - TTT Steidle 1981
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2SK63
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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