Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
3DG1
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Land:
Volksrepublik China
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| Identisch mit |
3DG1
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Flächen NPN;
Form/Case: ~ TO-1;
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: __ V; Isp: <50 µA; ß (beta): >9; N: 200 mW; Imax(Ic): 20 mA; Umax(Uce): 10 V; f g(FT): >30 MHz; tmax j: 150 °C;
Variante: 3DG1A = f g: >60 MHz, Uce: 25 V; 3DG1B = f g: >90 MHz, Uce: 25 V; 3DG1C = f g: >120 MHz, Uce: 25 V;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 10 x mm / 0.24 x 0.39 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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- - - chin.datasheet
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3DG1: GS
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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