Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
AT419
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Land:
Australien
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| Identisch mit |
AT419
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
AT415
; BC178
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: (SIP-3);
Daten/electr.data: I F: 150 mA; U F: (-5) V; U S: __ V; Isp: <0.2 µA; ß (beta): >90; N: 300 mW; Imax(Ic): 500 mA; Umax(Ucb): -30 V; Umax(Uce): -30 V; f g(FT): 200 MHz; tmax j: 125 °C.
Manufactured by Servex Semiconductor
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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