Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BC650
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Land:
USA
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| Identisch mit |
BC650
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case/Outline: R-210 (~TO-92) Anschlussfolge CBE;
Daten/electr.data: I F: 2 mA; U S: <0.6 V; Isp: <15 nA; ß (beta): 380-1400*; N: 625 mW; Imax(Ic): 200 mA; Umax(Ucb/Uce): 30 V; f g(FT): >100 MHz; tmax j: 150 °C;
Varianten: BC650C[S] = 380-820*, BC650D[S] = 680-1400* (hfe-Gruppen).
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) TTT Steidle 1981
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BC650: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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