Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BF963
Land:
Deutschland / Germany
|
|
Identisch mit |
BF963
|
Sockel |
Drahtenden
|
Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal-MOS-FET Dual Gate (Tetrode) Verarmungstyp (depletion mode);
Form/Case/Outline: TO-50 (SOT-103) Anschlussfolge D-S-G1-G2;
Daten/electr.data: Vds max: 20 V; Vgss: 6 V; Id max: 50 mA; Igss: <0.1 µA; Ptot: 330 mW; ß (beta): __; G1G2 sm: 10 mA; C: 1.0 pF; fg: >200 MHz ; t max j: 150 °C; Idss: 6...40 mA;
Manufactured by Philips / Telefunken / Siemens / ... -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 3 x 5 mm / 0.20 x 0.12 x 0.20 inch |
Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature Philips
|
|
BF963: Philips
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:2
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|