Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BUZ102
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Land:
Deutschland / Germany
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| Identisch mit |
BUZ102
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal SIPMOS° FET Enhancement mode, Avalanche rated;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 50 V; Id: 42 A; Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): 2.1 ... 4 V; Idss: <1 µA; R ds(on): <0.023 Ω; Pd: 200 W; td(on): 25 ns; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Siemens
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BUZ102: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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