Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BYV116
Land:
Niederlande
|
|
Identisch mit |
BYV116
|
Sockel |
Drahtenden
|
Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium zweifach Schottky Barrier-Dioden;
Form/Case: TO-220 (BYV116-xx) | SOT-404 (BYV116B-xx), Anschlussfolge A1-K1/K2-A2 ;
Daten/electr.data: Io(av): 20 A; Ifsm: 50 A; Vf: <0.54 V; Vrrm: 20 | 25 V*; tmax j: 150 °C.
Varianten: BYV116[B]-20 = 20 V*, BYV116[B]-25 = 25 V* (Vrrm) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature
|
|
BYV116: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
Mehr...
|
|
BYV116: Philips
Günther Stabe † 19.8.20
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|