Material/Aufbau/Pol.: GaAs N-Kanal-MESFET Dual Gate (Tetrode), Verarmungstyp (depletion mode); Form/Case/Outline: TO-50 Anschlussfolge D-S-G1-G2; Daten/electr.data: Vds max: 10 V; Id max: 80 mA; Ptot: 200 mW; ß (beta): __; G1G2 sm: 1 mA; Vgs: 6 V; C: __ pF; fg: <2 GHz ; t max j: 125 °C; Idss: 10...80 mA*; Varianten: CF300-A = 10...35 mA; CF300-B = 30...50 mA; CF300-C = 45...80 mA*;-