Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
D10SC4M
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
D10SC4M
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Schottky Zweifach-Diode;
Form/Case/Outline: ~ TO-220-Iso Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: Io: 10 A; Ir: <3.5 mA; Vf: 0.55 V; Vrrm: 40 V; tmax j: 150 °C.
Manufactured by Shindengen (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 17 x 5 mm / 0.39 x 0.67 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Shindengen
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D10SC4M: Shindengen
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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