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FDB33N25

Información - Ayuda 
ID = 64943
       
País:
Estados Unidos
Marca: Fairchild Semiconductor Inc., South Portland/Maine
Tipo:  Transistor   Power-supply 
Idéntica a FDB33N25
Base Wires
Descripción

Material/Aufbau/Pol.: N-Kanal Power D-MOSFET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: D²PAK (FDB33N25TM) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: N: 235 W; Id max: 33 A; Vdss: 250 V; Vgs: +/- 30 V; Rds(on): 0.094 Ω; tmax j: 150 °C.
High-voltage High-speed switching applications;
-

 
Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip		 11 x 11 x 5 mm / 0.43 x 0.43 x 0.20 inch
Peso 1 g / 0.04 oz
Literatura - - Manufacturers Literature   
fdb33n25_umgeb1.png
FDB33N25: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
d2pak_gds~~1.png FDB33N25: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
fdb33n25_innen.png
FDB33N25: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20

Colección personal de

Egon Strampe (D)
 
fdb33.jpg

 
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