Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FDP3651
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Land:
USA
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| Identisch mit |
FDP3651
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power Trench MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-220 (FDP3651U) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 100 V; Id: <80 A; Vgss: +/- 20 V; Idss: <1 µA; Igss: <0.1 µA; Vgs(th): 3.5 ... 5.5 V; Pd: 225 W; Rds(on): <0.015 Ω; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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FDP3651: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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FDP3651: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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