Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FQT4N20L
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Land:
USA
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| Identisch mit |
FQT4N20L
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: MOSFET, DMOS, Metalloxid-N-Kanal-FET ;
Form/Case/Outline: SOT-223;
Daten/electr.data: Vds max: 200 V; Vgs max: +- 20 V; Id max: 8,5 A; Ptot max: 2,2 W; Tjmax: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
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FQT4N20L: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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