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GC103

Information - Hilfe 
ID = 85590
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Halbleiterwerk Frankfurt /Oder, VEB, (HFO); Frankfurt /Oder (Ostd.)
Entwickler: Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik (WBN), Teltow, VEB, RFT (Ostd.) - vorm. DRALOWID 
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit GC103
Ähnliche
Grenzwerte anders:
  GC104
Erste Quelle(n)
Mar.1963 : -- Collector info (Sammler)

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Germanium Fläche PNP;
Form/Case: TO-18-L / TO-18;
Daten/electr.data: I F: 2 mA; U F: _ V; Isp: <15 µA; ß (beta): 18-224; N: 30 (50) mW; Imax(Ic): 15 mA; Umax(Ucb): -15 V; f g(FT): >1 MHz; tmax j: 75 °C.
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
6 x 10 x mm / 0.24 x 0.39 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur

gc103_data.png
GC103: RFT electronic Transistoren 1967
Wolfgang Eckardt

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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