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GES1

Information - Hilfe 
ID = 79955
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Intermetall Halbleiterwerk, Düsseldorf
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit GES1
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  GES3

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Germanium Flächen PNP;
Form/Case/Outline: TO-1 (2 pins);
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: -__ V; U S: __ V; Isp: __ µA; ß (beta): __; N: __ mW; Imax(Ic): __ mA; Umac(Ucb): -__ V; Umax(Uce): -__ V; f g(FT): __ MHz; tmax j: __ °C.
(no data available yet)
Eigentlich eine Stabilisator-Diode (event. ein Transistor, als Diode geschaltet)
-

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
5 x 9 x 5 mm / 0.20 x 0.35 x 0.20 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz

 
ges1_pl.jpg

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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