Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
GES5819
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Land:
USA
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| Identisch mit |
GES5819
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-92 Anschlussfolge CBE;
Daten/electr.data: I F: 50 mA; U F: (-5) V; U S: <0.75 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 150-300*; N: 500 mW; Imax(Ic): 750 mA; Umax(Ucb): -50 V; Umax(Uce): -40 V; f g(FT): >135 MHz; tmax j: 135 °C; kompl.: GES5818.
Ähnlich/similar: GES5815 = 60-160*, kompl: GES5814;
GES5817 = 100-200*, kompl.: GES5816;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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GES5819: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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