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GT25J101

Información - Ayuda 
ID = 53158
       
País:
Japon
Marca: Toshiba Corporation; Tokyo
Tipo:  Transistor   Universal 
Idéntica a GT25J101
Válvulas similares
Different maximum ratings:
  GT25Q101

Base Wires
Descripción Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT intended as high power switch or motor control.

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Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip
16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch
Peso 2 g / 0.07 oz
Literatura - - -   
- - Manufacturers Literature   
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gt25j101_s.png GT25J101: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20

igt_symbol.png
GT25J101: (Symbol)
Günther Stabe † 19.8.20

Colección personal de

 
gt25j101.jpg

 

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