Radios antiguas y Radios de Colección
GT25J101
País:
Japon
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Idéntica a |
GT25J101
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Válvulas similares |
Different maximum ratings:
GT25Q101
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Base |
Wires
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Descripción |
Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT intended as high power switch or motor control. -
Texto en otros idiomas
puede diferir
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Dimensiones (Alt,Ancho,Prof.) incl.pins/tip |
16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch |
Peso |
2 g / 0.07 oz |
Literatura |
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- - Manufacturers Literature
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GT25J101: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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GT25J101: (Symbol)
Günther Stabe † 19.8.20
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Colección personal de
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[rmxtube-en]
Cumplimiento de datos |
Más información |
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