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GT25Q101

Información - Ayuda 
ID = 51539
       
País:
Japon
Marca: Toshiba Corporation; Tokyo
Tipo:  Transistor   Universal 
Idéntica a GT25Q101
Válvulas similares
Different maximum ratings:
  GT25J101

Base Wires
Descripción

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT intended as high power switch or motor control.
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Texto en otros idiomas puede diferir
Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip
20 x 26 x 5 mm / 0.79 x 1.02 x 0.20 inch
Peso 3 g / 0.11 oz
Literatura - - Manufacturers Literature   

gt25q101_s.png GT25Q101
Günther Stabe † 19.8.20

gt25q101_daten1.png
GT25Q101: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20

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Colección personal de

 
gt25q101001.jpg

 

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